هذه المقالة يتيمة. ساعد بإضافة وصلة إليها في مقالة متعلقة بها

ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى: تصفح، ‏ ابحث
بحاجة لمصدر المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها.(يناير_2013)

ترانزستور_ثنائي_القطبية_ذو_بوابة_معزولة (IGBT) (Insulated-gate bipolar transistor) هي مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.

رمز الترانزستور


Midori Extension.svg هذه بذرة مقالة بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.