ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
(بالتحويل من ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة)
| ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة | |
|---|---|
 |
|
| النوع | ترانزستور ثنائي القطب |
| الرمز الإلكتروني |  |
تعديل مصدري - تعديل  | |
ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (بالإنجليزية: Insulated-gate bipolar transistor) و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.[1][2][3]
المراجع[عدل]
- ^ "Ion Gel as a Gate Insulator in Field Effect Transistors". مؤرشف من الأصل في 2011-11-14.
- ^ "C. Frank Wheatley, Jr., BSEE". Innovation Hall of Fame at A. James Clark School of Engineering. مؤرشف من الأصل في 2017-08-14.
- ^ Basic Electronics Tutorials. نسخة محفوظة 07 مايو 2017 على موقع واي باك مشين.
 |
في كومنز صور وملفات عن: ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة |
 | هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها. |