مطيافية إلكترون أوجيه

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى: تصفح، ‏ ابحث

مطيافية إلكترون أوجيه (بالإنجليزية: Auger electron spectroscopy) هي تقنية تحليلة عامة تستخدم بشكل خاص في دراسة السطوح وبشكل أعم في مجال علم المواد. تعتمد هذه التقنية على ما يسمى بتأثير أوجيه كما يوضح الاسم. تعتمد هذه التقنية على تحليل الالكترونات الطاقية المحررة من ذرة محرضة بعد عدد من أحداث الاسترخاء داخل الذرة.

انتقال الالكترون وتأثير أوجيه[عدل]

عندما تتحرض الذرة بآلية خارجية مثل فوتون أو حزمة إلكترونية تتراوح طاقتها بين 2 كيلو إلكترون فولت و 50 كيلو إلكترون فولط قد يتحرر الكترون من الطبقات الداخلية للذرة مخلفاً ثقباً خلفه. وباعتبار أن هذا هو حالة غير مستقرة للذرة من الممكن يتحرك الكترون من المدارات الأعلى ليملأ الثقب المتخلف، وعندها يحرر الالكترون الذي يتحرك إلى مدار داخلي طاقة تعادل الفرق بين طاقتي المدارين. إن طاقة الانتقال هذه قد تقترن مع الكترون ثاني من طبقة خارجية والذي قد يسبب إلى تحرره من الذرة إذا ما كانت طاقة الانتقال المحررة أكبر من طاقة ارتباطه بالمدار.

الاستخدامات[عدل]

هناك العديد من المجاهر الالكترونية التي تم تصميمها اعتمادا على مبدأ طيفية أوجيه، وهذه المجاهر تعطي دقة صور عالية.

انظر أيضا[عدل]

Icon-gears.png هذه بذرة مقالة عن موضوع تقني بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.