أكسدة موضعية للسيليكون
المظهر
الأكسدة الموضعية للسيليكون (ملاحظة 1) هي عملية من عمليات التصنيع الدقيق في صناعة أشباه الموصلات، حيث تتشكل طبقة رقيقة من ثنائي أكسيد السيليكون في مناطق محددة على رقاقة من السيليكون، وبحيث يكون نقاط مستوى التماس Si-SiO2 أخفض من باقي سطح السيليكون.
طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف Deal–Grove model.[1]
طالع أيضاً
[عدل]هوامش
[عدل]- ملاحظة 1 اختصاراً LOCOS من LOCal Oxidation of Silicon
المراجع
[عدل]- ^ Liu، M.؛ Peng، J.؛ وآخرون (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. ج. 6 ع. 5: 195–199. DOI:10.1016/j.taml.2016.08.002. مؤرشف من الأصل في 2021-03-23.