ترانزستور باعث للضوء
| ترانزستور باعث للضوء | |
|---|---|
| اختصار | LET |
| النوع | ترانزستور، ومكون باعث للضوء |
| مبدأ العمل | التألق الكهربي |
| المخترع | ميلتون فينغ نيك هولنياك وليد حافظ |
| الإنتاج الأول | 2003 |
تعديل مصدري - تعديل  | |
ترانزستور باعث للضوء (بالإنجليزية: Light-emitting transistor) (إختصارًا LET)، هو نوع من الترانزستورات التي تبعث موجات كهرومغناطيسية بشكل ضوء، من الممكن أن يكون ذو كفاءة أعلى من الثنائي الباعث للضوء.
نظرة تاريخية
[عدل]في عدد 2004 من مجلة رسائل الفيزياء التطبيقية [الإنجليزية] أعلن يوم 5 يناير في بحث منشور لكل من ميلتون فينغ ونيك هولنياك (مخترعا أول ثنائي باعث للضوء عمليًا وليزر أشباه موصلات ضمن الطيف المرئي)، عن تمكنهما من إختراع أول ترانزستور باعث للضوء.[1]
الجهاز الهجين الذي تم تصنيعه من قبل طالب الدراسات العليا «وليد حافظ» تحت إشراف ميلتون فينغ يملك إدخال كهربائي منفرد مقابل إخراجين كهربائي وضوئي، يعمل بتردد 1 ميغا هرتز ومكون من فوسفيد إنديوم غاليوم (InGaP)، وزرنيخيد إنديوم غاليوم (InGaAs)، زرنيخيد الغاليوم (GaAs)، تمكن من إطلاق فوتونات أشعة تحت الحمراء من طبقة القاعدة.[2][3]
طالع أيضًا
[عدل]مراجع
[عدل]- ^ Feng، M.؛ Holonyak، N.؛ Hafez، W. (5 يناير 2004). "Light-emitting transistor: Light emission from InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors". Applied Physics Letters. ج. 84 ع. 1: 151–153. DOI:10.1063/1.1637950. ISSN:0003-6951. مؤرشف من الأصل في 2021-10-28.
- ^ "First Light-Emitting Transistor". IEEE Spectrum (بالإنجليزية). 1 Jan 2004. Archived from the original on 2021-11-22. Retrieved 2021-11-21.
- ^ Kloeppel, James E. "New light-emitting transistor could revolutionize electronics industry". news.illinois.edu (بالإنجليزية الأمريكية). Archived from the original on 2020-04-06. Retrieved 2021-11-21.
 | هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها. |