ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى: تصفح، ‏ ابحث
رمز الترانزستور

ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (بالإنجليزية: Insulated-gate bipolar transistor) و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.[1][2][3]

المراجع[عدل]

  1. ^ "Ion Gel as a Gate Insulator in Field Effect Transistors". تمت أرشفته من الأصل في 2011-11-14. 
  2. ^ "C. Frank Wheatley, Jr., BSEE". Innovation Hall of Fame at A. James Clark School of Engineering. 
  3. ^ Basic Electronics Tutorials.
Transistor stub.svg
هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.