تبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
ط بوت: وسوم صيانة، أضاف وسم بدون مصدر |
ط بوت: إصلاح التحويلات |
||
| سطر 1: | سطر 1: | ||
{{مصدر|تاريخ=فبراير 2016}} |
{{مصدر|تاريخ=فبراير 2016}} |
||
'''تبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة''' {{إنج|Wide angle X-ray scattering WAXS}} هو تقنية من تقنيات [[حيود الأشعة السينية]] التي تستخدم غالبا لدراسة التركيب البلوري [[ |
'''تبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة''' {{إنج|Wide angle X-ray scattering WAXS}} هو تقنية من تقنيات [[حيود الأشعة السينية]] التي تستخدم غالبا لدراسة التركيب البلوري [[مبلمر|للمكثورات]]. وتقوم هذه التقنية على تحليل [[ذرى براغ]] المبعثرة بزوايا كبيرة، والتي تنتج (وفقا ل[[قانون براغ]]) عن البنى الدقيقة ذات مقياس تحت النانومتر. |
||
وتبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة هي نفس تقنية [[تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة]] وتختلف فقط بأن المسافة بين العينة واللاقط أقصر ويمكن بذلك ملاحظة الحيود عند زوايا أكبر. |
وتبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة هي نفس تقنية [[تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة]] وتختلف فقط بأن المسافة بين العينة واللاقط أقصر ويمكن بذلك ملاحظة الحيود عند زوايا أكبر. |
||
نسخة 06:26، 26 مارس 2016
 | يفتقر محتوى هذه المقالة إلى الاستشهاد بمصادر. (فبراير 2016) |
تبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة (بالإنجليزية: Wide angle X-ray scattering WAXS) هو تقنية من تقنيات حيود الأشعة السينية التي تستخدم غالبا لدراسة التركيب البلوري للمكثورات. وتقوم هذه التقنية على تحليل ذرى براغ المبعثرة بزوايا كبيرة، والتي تنتج (وفقا لقانون براغ) عن البنى الدقيقة ذات مقياس تحت النانومتر.
وتبعثر الأشعة السينية بزاوية كبيرة هي نفس تقنية تبعثر الأشعة السينية بزاوية صغيرة وتختلف فقط بأن المسافة بين العينة واللاقط أقصر ويمكن بذلك ملاحظة الحيود عند زوايا أكبر.