ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة والمسح

نافذة الكوارتز الصغيرة التي تدخل ضوء الأشعة فوق البنفسجية للمسح.

أنواع ذواكر الحاسوب
ذاكرة أشباه الموصلات
متطايرة
متطايرة RAM DRAM (e.g., ذاكرة دي.دي.آر اس.دي.رام) SRAM تحت التطوير T-RAM Z-RAM TTRAM تاريخية Williams-Kilburn tube (1946-47) Delay line memory (1947) Selectron tube (1953)
غير متطايرة
غير متطايرة ROM Mask ROM PROM EPROM EEPROM NVRAM ذاكرة وميضية المراحل المبكرة من NVRAM nvSRAM FeRAM MRAM PRAM تحت التطوير CBRAM SONOS RRAM Racetrack memory NRAM Millipede memory تاريخية ذاكرة طبلة (1932) ذاكرة رئيسية مغناطيسية (1949) Plated wire memory (1957) Thin-film memory (1962) Twistor memory (~1968) Bubble memory (~1970)

ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة والمسح (بالإنجليزية: Erasable Programmable Read-Only Memory) EPROM، هي نوع من رقاقة الذاكرة التي تحتفظ ببياناتها عندما يطفأ عليها التيار الكهربائي. بكلمة أخرى، هي غير متطايرة. فهى مجموعة من رقائق الترانزستور ذو البوابة العائمة المبرمجة باستخدام جهاز كهربائى يوفر جهد كهربائى أعلى من ذلك المستخدم في الدوائر الكهربية العادية. بمجرد برمجتها، يمكن مسحها بتعريضها لمصدر قوى للآشعة فوق البنفسجية (مثل الصادر من مصباح بخار الزئبق. ذاكرة القراءة فقط القابلة للبرمجة والمسح يسهل تعريفها من خلال نافذة الكوارتز المنصهر الشفافة في أعلى العبوة، والتي من خلالها يمكن رؤية شريحة السليكون والتي تسمح بالتعرض للاشعة فوق البنفسجية خلال عملية المسح.

هذه بذرة مقالة عن موضوع تقني بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.