موسفت جانبي الانتشار

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى التنقل اذهب إلى البحث

LDMOS (موسفت جانبي الانتشار أو أشباه الموصلات ذات أكسيد الفلز المنتشر جانبياً)[1] عبارة عن موسفت مستو مزدوج الإنتشار (ترانزستور يعتبر تأثير المجال فيه من أكسيد الفلز أشباه الموصلات) المستخدم في مكبرات الصوت، بما في ذلك طاقة الميكروويف مضخمات التردد الراديوي ومضخمات القدرة الصوتية. غالبًا ما يتم تصنيع هذه الترانزستورات على طبقات فوقية من السيليكون p / p +. يتضمن تصنيع أجهزة LDMOS في الغالب غرس أيوني مختلف ودورات تلدين لاحقة. على سبيل المثال، تم تصنيع منطقة الإنجراف لهذه الطاقة موسفت بإستخدام ما يصل إلى ثلاثة تسلسلات لزرع الأيونات من أجل تحقيق ملف المنشطات المناسب اللازم لتحمل المجالات الكهربائية العالية.[1]

إن RF LDMOS (LDMOS) القائم على السيليكون هو مضخم طاقة التردد الراديوي الأكثر استخدامًا في شبكات الهاتف المحمول،[2][3][4] مما يمكّن غالبية حركة الصوت والبيانات الخلوية في العالم.[5] تُستخدم أجهزة LDMOS على نطاق واسع في مضخمات طاقة التردد اللاسلكي للمحطات القاعدية حيث أن المطلب هو طاقة خرج عالية مع استنزاف مماثل لجهد تفكيك المصدر عادةً أعلى من 60 فولت.[6] بالمقارنة مع الأجهزة الأخرى مثل GaAs FETs، فإنها تُظهر ترددًا أقل لكسب الطاقة.

تشمل الشركات المصنعة لأجهزة LDMOS والمسابك التي تقدم تقنيات LDMOS شركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة، تاور لأشباه الموصلات، شركة جلوبال فاوندريز الطليعة الدولية لأشباه الموصلات، إس تي ميكروإلكترونكس، إنفنيون، RFMD ،NXP (المؤسسة الدولية لتصنيع أشباه الموصلات).

مراجع[عدل]

  1. أ ب A. Elhami Khorasani, IEEE Electron Dev. Lett., vol. 35, pp. 1079-1081, 2014 نسخة محفوظة 13 فبراير 2021 على موقع واي باك مشين.
  2. ^ Baliga, Bantval Jayant (2005). Silicon RF Power MOSFETS. World Scientific. صفحات 1–2. ISBN 9789812561213. مؤرشف من الأصل في 10 نوفمبر 2021. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة)
  3. ^ Asif, Saad (2018). 5G Mobile Communications: Concepts and Technologies. سي آر سي بريس. صفحة 134. ISBN 9780429881343. مؤرشف من الأصل في 27 أبريل 2021. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة)
  4. ^ Theeuwen, S. J. C. H.; Qureshi, J. H. (June 2012). "LDMOS Technology for RF Power Amplifiers" (PDF). IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 60 (6): 1755–1763. Bibcode:2012ITMTT..60.1755T. doi:10.1109/TMTT.2012.2193141. ISSN 1557-9670. S2CID 7695809. مؤرشف من الأصل (PDF) في 24 يونيو 2021. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة)
  5. ^ "LDMOS Products and Solutions". NXP Semiconductors. مؤرشف من الأصل في 9 ديسمبر 2020. اطلع عليه بتاريخ 04 ديسمبر 2019. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة)
  6. ^ van Rijs, F. (2008). "Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications". Radio and Wireless Symposium, 2008 IEEE. Orlando, FL. صفحات 69–72. doi:10.1109/RWS.2008.4463430. الوسيط |CitationClass= تم تجاهله (مساعدة)
Midori Extension.svg
هذه بذرة مقالة بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.