انتقل إلى المحتوى

ترانزستور الوصلة النامية: الفرق بين النسختين

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
تصفح التاريخ تفاعلياً
[نسخة منشورة][نسخة منشورة]
→ التعديل السابقالتعديل اللاحق ←
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
مرئينص الويكي
←‏top: تم إصلاح النحو, تمت إضافة وصلات
وسوم: تحرير من المحمول تعديل في تطبيق الأجهزة المحمولة تعديل بتطبيق أندرويد
←‏top: تم تصحيح خطأ مطبعي, تمت إضافة وصلات
وسوم: تحرير من المحمول تعديل في تطبيق الأجهزة المحمولة تعديل بتطبيق أندرويد
سطر 15: سطر 15:
</ref> (براءة الاختراع مسجلة في 26 يونيو 1948)، بعد ستة أشهر من أول [[ترانزستور التلامس النقطي]]. تم صنع أول [[جرمانيوم|نماذج الجرمانيوم]] في عام 1949. أعلنت شركة بيل لابس عن ترانزستور شوكلي المزروع في 4 يوليو 1951.<ref name="EVANS 1959 pp. 204–208">{{cite journal | last=EVANS | first=D. M. | title=The Measurement of the Temperature Dependence of the Mobility and Effective Lifetime of Minority Carriers in the Base Region of Silicon Transistors | journal=Journal of Electronics and Control | publisher=Informa UK Limited | volume=6 | issue=3 | year=1959 | issn=0368-1947 | doi=10.1080/00207215908937143 | pages=204–208}}</ref>
</ref> (براءة الاختراع مسجلة في 26 يونيو 1948)، بعد ستة أشهر من أول [[ترانزستور التلامس النقطي]]. تم صنع أول [[جرمانيوم|نماذج الجرمانيوم]] في عام 1949. أعلنت شركة بيل لابس عن ترانزستور شوكلي المزروع في 4 يوليو 1951.<ref name="EVANS 1959 pp. 204–208">{{cite journal | last=EVANS | first=D. M. | title=The Measurement of the Temperature Dependence of the Mobility and Effective Lifetime of Minority Carriers in the Base Region of Silicon Transistors | journal=Journal of Electronics and Control | publisher=Informa UK Limited | volume=6 | issue=3 | year=1959 | issn=0368-1947 | doi=10.1080/00207215908937143 | pages=204–208}}</ref>


يتكون ترانزستور الوصلة الناميّة من [[بلورة]] واحدة من [[شبه موصل|مادة أشباه الموصلات]] التي تحتوي على [[وصلة الموجب والسالب|تقاطعين PN]] نمت فيهما. أثناء عملية النمو، [[نواة تبلور|يتم سحب بلورة البذور]] ببطء من حمام من أشباه الموصلات المنصهرة، والتي تنمو بعد ذلك إلى بلورة على شكل قضيب ( [[بلورة مخلقة|كرة]] ). أشباه الموصلات المنصهرة [[إشابة|مخدر]] من النوع N في البداية. في لحظة محددة مسبقًا في عملية النمو، تتم إضافة حبيبة صغيرة من [[عامل إشابة|عامل الإشابة من]] النوع P، متبوعة على الفور تقريبًا بحبيبة أكبر إلى حد ما من نوع عامل الإشابة.<ref name="ProQuest 2021">{{cite web | title=A JUNCTION-TRANSISTOR HIGH-FREQUENCY EQUIVALENT CIRCUIT | website=ProQuest | date=2021-11-25 | url=https://www.proquest.com/openview/a70f6f9d1714ee98a57e42760e82c674/1?pq-origsite=gscholar&cbl=18750&diss=y | access-date=2021-11-25}}</ref> تذوب هذه الشوائب في أشباه الموصلات المنصهرة وتغير نوع أشباه الموصلات التي تزرع فيما بعد. تحتوي البلورة الناتجة على طبقة رقيقة من مادة من النوع P محصورة بين أقسام من مادة من النوع N. قد تكون هذه الطبقة من النوع P أقل من ألف من البوصة (25 ميكرومتر). يتم تقطيع البلورة، تاركة طبقة رقيقة من النوع P في وسط الشريحة، ثم تقطع إلى قضبان. يتم تحويل كل قضيب إلى ترانزستور عن طريق [[سبيكة لحام القصدير|لحام]] نهاياته من النوع N لدعم وتوصيل الأسلاك، ثم [[لحام]] [[ذهب|سلك ذهبي]] ناعم جدًا إلى الطبقة المركزية من النوع P، وأخيراً تغليفه في علبة محكمة الإغلاق. عملية مماثلة، باستخدام عامل الإشابة المعاكسة.<ref name="RAYMOND Chang 1965">{{cite web | last=RAYMOND | first=James P. | last2=Chang | first2=William W. | title=STUDY FOR GENERALIZED MODEL FOR SEMICONDUCTOR RADIATION RESPONSE PREDICTION. | website=DTIC | date=1965-06-01 | url=https://apps.dtic.mil/sti/citations/AD0618079 | access-date=2021-11-25}}</ref>
يتكون ترانزستور الوصلة الناميّة من [[بلورة]] واحدة من [[شبه موصل|مادة أشباه الموصلات]] التي تحتوي على [[وصلة الموجب والسالب|تقاطعين PN]] نمت فيهما. أثناء عملية النمو، [[نواة تبلور|يتم سحب بلورة البذور]] ببطء من حمام من أشباه الموصلات المنصهرة،<ref name="Johnson 1959 pp. 370–374">{{cite journal | last=Johnson | first=S.O. | title=A performance/cost approach to transistor design | journal=Proceedings of the IEE - Part B: Electronic and Communication Engineering | publisher=Institution of Engineering and Technology (IET) | volume=106 | issue=15S | year=1959 | issn=2054-0418 | doi=10.1049/pi-b-2.1959.0084 | pages=370–374}}</ref> والتي تنمو بعد ذلك إلى بلورة على شكل قضيب ( [[بلورة مخلقة|كرة]] ). أشباه الموصلات المنصهرة [[إشابة|مخدر]] من النوع N في البداية. في لحظة محددة مسبقًا في عملية النمو، تتم إضافة حبيبة صغيرة من [[عامل إشابة|عامل الإشابة من]] النوع P، متبوعة على الفور تقريبًا بحبيبة أكبر إلى حد ما من نوع عامل الإشابة.<ref name="ProQuest 2021">{{cite web | title=A JUNCTION-TRANSISTOR HIGH-FREQUENCY EQUIVALENT CIRCUIT | website=ProQuest | date=2021-11-25 | url=https://www.proquest.com/openview/a70f6f9d1714ee98a57e42760e82c674/1?pq-origsite=gscholar&cbl=18750&diss=y | access-date=2021-11-25}}</ref> تذوب هذه الشوائب في أشباه الموصلات المنصهرة وتغير نوع أشباه الموصلات التي تزرع فيما بعد. تحتوي البلورة الناتجة على طبقة رقيقة من مادة من النوع P محصورة بين أقسام من مادة من النوع N.<ref name="CaltechAUTHORS 2019">{{cite web | title=A New Junction Transistor High-Frequency Equivalent Circuit | website=CaltechAUTHORS | date=2019-09-23 | url=https://authors.library.caltech.edu/98804/ | access-date=2021-11-25}}</ref> قد تكون هذه الطبقة من النوع P أقل من ألف من البوصة (25 ميكرومتر). يتم تقطيع البلورة، تاركة طبقة رقيقة من النوع P في وسط الشريحة، ثم تقطع إلى قضبان. يتم تحويل كل قضيب إلى ترانزستور عن طريق [[سبيكة لحام القصدير|لحام]] نهاياته من النوع N لدعم وتوصيل الأسلاك،<ref name="IEEE Xplore 2021">{{cite web | title=Generalized Model Analysis of Ionizing Radiation Effects in Semiconductor Devices | website=IEEE Xplore | date=2021-10-05 | url=https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4323900 | access-date=2021-11-25}}</ref> ثم [[لحام]] [[ذهب|سلك ذهبي]] ناعم جدًا إلى الطبقة المركزية من النوع P، وأخيراً تغليفه في علبة محكمة الإغلاق. عملية مماثلة، باستخدام عامل الإشابة المعاكسة.<ref name="RAYMOND Chang 1965">{{cite web | last=RAYMOND | first=James P. | last2=Chang | first2=William W. | title=STUDY FOR GENERALIZED MODEL FOR SEMICONDUCTOR RADIATION RESPONSE PREDICTION. | website=DTIC | date=1965-06-01 | url=https://apps.dtic.mil/sti/citations/AD0618079 | access-date=2021-11-25}}</ref><ref name="Havill Walton 1985 pp. 57–74">{{cite book | last=Havill | first=R. L. | last2=Walton | first2=A. K. | title=Elements of Electronics | chapter=The Junction Transistor | publisher=Macmillan Education UK | publication-place=London | year=1985 | doi=10.1007/978-1-349-18009-7_3 | pages=57–74}}</ref>


أَصْعَبُ جُزْءٍ فِي هَذِهِ الْعَمَلِيَّةِ هُوَ لِحَامُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ بِالطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ، حَيْثُ قَدْ يَكُونُ لِلسَّلِكِ قَطَرُ أَكْبَرُ مِنْ سَمْكِ الْقَاعِدَةِ. لِتَسْهِيلِ هَذِهِ الْعَمَلِيَّةِ، يَتِمُّ تَوْجِيهُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ أَوْ تَسْوِيَتُهُ حَتَّى تُصْبِحَ نِهَايَتُهُ أَرَقَّ مِنْ الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ.<ref name="IEEE gehejw 2021">{{cite web | title=Temperature Dependence of Junction Transistor Parameters | website=IEEE Xplore | date=2021-10-05 | url=https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4056569 | access-date=2021-11-25}}</ref> يَنْزَلِقُ طَرَفُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ عَلَى طُولِ الشَّرِيطِ حَتَّى يَظْهَرَ قِيَاسُ الْمُقَاوَمَةِ الْكَهْرَبَائِيَّةِ أَنَّهُ عَلَى اتِّصَالٍ بِالطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ. فِي هَذَا الْوَقْتِ يَتِمُّ تَطْبِيقُ نَبْضَةِ تَيَّارٍ، وَيُلْحَمُ السِّلْكُ فِي مَكَانِهِ. لِسُوءِ الْحَظِّ، يَكُونُ اللَّحَامُ أَحْيَانًا كَبِيرًا جِدًا أَوْ بَعِيدًا قَلِيلًاً عَنْ الْمَرْكَزِ فِي الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ. لِتَجَنُّبِ تَقْصِيرِ التِّرَانْزِسْتُورْ، يَتِمُّ خَلْطُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ بِكَمِّيَّةٍ صَغِيرَةٍ مِنْ نَفْسِ النَّوْعِ الْمُسْتَخْدَمِ فِي الْقَاعِدَةِ. يُؤَدِّي هَذَا إِلَى زِيَادَةِ سَمَاكَةِ الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ قَلِيلًاً عِنْدَ نُقْطَةِ اللِّحَامِ.<ref name="CONN MITCHELL 1971 pp. 353–357">{{cite journal | last=CONN | first=D. R. | last2=MITCHELL | first2=R. H. | title=State-space analysis of two-dimensional current flow in the base region of a junction transistorf | journal=International Journal of Electronics | publisher=Informa UK Limited | volume=31 | issue=4 | year=1971 | issn=0020-7217 | doi=10.1080/00207217108938232 | pages=353–357}}</ref>
أَصْعَبُ جُزْءٍ فِي هَذِهِ الْعَمَلِيَّةِ هُوَ لِحَامُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ بِالطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ، حَيْثُ قَدْ يَكُونُ لِلسَّلِكِ قَطَرُ أَكْبَرُ مِنْ سَمْكِ الْقَاعِدَةِ. لِتَسْهِيلِ هَذِهِ الْعَمَلِيَّةِ، يَتِمُّ تَوْجِيهُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ أَوْ تَسْوِيَتُهُ حَتَّى تُصْبِحَ نِهَايَتُهُ أَرَقَّ مِنْ الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ.<ref name="IEEE gehejw 2021">{{cite web | title=Temperature Dependence of Junction Transistor Parameters | website=IEEE Xplore | date=2021-10-05 | url=https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4056569 | access-date=2021-11-25}}</ref> يَنْزَلِقُ طَرَفُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ عَلَى طُولِ الشَّرِيطِ حَتَّى يَظْهَرَ قِيَاسُ الْمُقَاوَمَةِ الْكَهْرَبَائِيَّةِ أَنَّهُ عَلَى اتِّصَالٍ بِالطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ. فِي هَذَا الْوَقْتِ يَتِمُّ تَطْبِيقُ نَبْضَةِ تَيَّارٍ، وَيُلْحَمُ السِّلْكُ فِي مَكَانِهِ. لِسُوءِ الْحَظِّ، يَكُونُ اللَّحَامُ أَحْيَانًا كَبِيرًا جِدًا أَوْ بَعِيدًا قَلِيلًاً عَنْ الْمَرْكَزِ فِي الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ. لِتَجَنُّبِ تَقْصِيرِ التِّرَانْزِسْتُورْ،<ref name="Google Scholar">{{cite web | title=الباحث العلمي من Google | website=Google Scholar | url=https://scholar.google.com/scholar?start=20&q=Grown-junction+transistor&hl=ar&as_sdt=0,5#d=gs_qabs&u=%23p%3D5B96q1QTrNMJ | access-date=2021-11-25}}</ref> يَتِمُّ خَلْطُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ بِكَمِّيَّةٍ صَغِيرَةٍ مِنْ نَفْسِ النَّوْعِ الْمُسْتَخْدَمِ فِي الْقَاعِدَةِ. يُؤَدِّي هَذَا إِلَى زِيَادَةِ سَمَاكَةِ الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ قَلِيلًاً عِنْدَ نُقْطَةِ اللِّحَامِ.<ref name="CONN MITCHELL 1971 pp. 353–357">{{cite journal | last=CONN | first=D. R. | last2=MITCHELL | first2=R. H. | title=State-space analysis of two-dimensional current flow in the base region of a junction transistorf | journal=International Journal of Electronics | publisher=Informa UK Limited | volume=31 | issue=4 | year=1971 | issn=0020-7217 | doi=10.1080/00207217108938232 | pages=353–357}}</ref>


نَادِرًا مَا تَعْمَلُ تِرَانْزِسْتُورَاتُ الْوَصَلَاتِ الْمُتَنَامِيَةِ عِنْدَ تَرَدُّدَاتٍ أَعْلَى مِنْ نِطَاقِ الصَّوْتِ، نَظَرًا لِطَبَقَاتِ قَاعِدَتِهَا السَّمِيكَةِ نِسْبِيًا.<ref name="IEEE Xplore 2021">{{cite web | title=High-Frequency Power Gain of Junction Transistors | website=IEEE Xplore | date=2021-10-05 | url=https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4055548/ | access-date=2021-11-25}}</ref> كَانَ مِنْ الصَّعْبِ لِلْغَايَةِ التَّحَكُّمُ فِي نُمُوِّ طَبَقَاتِ الْقَاعِدَةِ الرَّقِيقَةِ، وَأَصْبَحَ لِحَامُ السِّلْكِ بِالْقَاعِدَةِ أَكْثَرَ صُعُوبَةً كُلَّمَا أَصْبَحَ أَرَقَّ. يُمْكِنُ الْحُصُولُ عَلَى تَشْغِيلٍ بِتَرَدُّدٍ أَعْلَى مِنْ خِلَالِ لَحَّامِ سِلْكٍ ثَانٍ عَلَى الْجَانِبِ الْآخَرِ مِنْ الْقَاعِدَةِ،<ref name="Grown Junction and Diffused Transistors pp. 41–66">{{cite book | title=History of Semiconductor Engineering | chapter=Grown Junction and Diffused Transistors | publisher=Springer Berlin Heidelberg | publication-place=Berlin, Heidelberg | doi=10.1007/978-3-540-34258-8_3 | pages=41–66}}</ref> وَعَمِلَ تِرَانْزِسْتُورْ رُبَاعِيُّ الِاتِّجَاهِ، وَاسْتِخْدَامِ انْحِيَازٍ خَاصٍّ فِي اتِّصَالِ الْقَاعِدَةِ الثَّانِي هَذَا.<ref name="Tanenbaum Valdes Buehler Hannay 1955 pp. 686–692">{{cite journal | last=Tanenbaum | first=M. | last2=Valdes | first2=L. B. | last3=Buehler | first3=E. | last4=Hannay | first4=N. B. | title=Silicon n‐p‐n Grown Junction Transistors | journal=Journal of Applied Physics | publisher=AIP Publishing | volume=26 | issue=6 | year=1955 | issn=0021-8979 | doi=10.1063/1.1722071 | pages=686–692}}</ref>
نَادِرًا مَا تَعْمَلُ تِرَانْزِسْتُورَاتُ الْوَصَلَاتِ الْمُتَنَامِيَةِ عِنْدَ تَرَدُّدَاتٍ أَعْلَى مِنْ نِطَاقِ الصَّوْتِ، نَظَرًا لِطَبَقَاتِ قَاعِدَتِهَا السَّمِيكَةِ نِسْبِيًا.<ref name="IEEE Xplore 2021">{{cite web | title=High-Frequency Power Gain of Junction Transistors | website=IEEE Xplore | date=2021-10-05 | url=https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4055548/ | access-date=2021-11-25}}</ref> كَانَ مِنْ الصَّعْبِ لِلْغَايَةِ التَّحَكُّمُ فِي نُمُوِّ طَبَقَاتِ الْقَاعِدَةِ الرَّقِيقَةِ، وَأَصْبَحَ لِحَامُ السِّلْكِ بِالْقَاعِدَةِ أَكْثَرَ صُعُوبَةً كُلَّمَا أَصْبَحَ أَرَقَّ. يُمْكِنُ الْحُصُولُ عَلَى تَشْغِيلٍ بِتَرَدُّدٍ أَعْلَى مِنْ خِلَالِ لَحَّامِ سِلْكٍ ثَانٍ عَلَى الْجَانِبِ الْآخَرِ مِنْ الْقَاعِدَةِ،<ref name="Grown Junction and Diffused Transistors pp. 41–66">{{cite book | title=History of Semiconductor Engineering | chapter=Grown Junction and Diffused Transistors | publisher=Springer Berlin Heidelberg | publication-place=Berlin, Heidelberg | doi=10.1007/978-3-540-34258-8_3 | pages=41–66}}</ref> وَعَمِلَ تِرَانْزِسْتُورْ رُبَاعِيُّ الِاتِّجَاهِ، وَاسْتِخْدَامِ انْحِيَازٍ خَاصٍّ فِي اتِّصَالِ الْقَاعِدَةِ الثَّانِي هَذَا.<ref name="Tanenbaum Valdes Buehler Hannay 1955 pp. 686–692">{{cite journal | last=Tanenbaum | first=M. | last2=Valdes | first2=L. B. | last3=Buehler | first3=E. | last4=Hannay | first4=N. B. | title=Silicon n‐p‐n Grown Junction Transistors | journal=Journal of Applied Physics | publisher=AIP Publishing | volume=26 | issue=6 | year=1955 | issn=0021-8979 | doi=10.1063/1.1722071 | pages=686–692}}</ref>

نسخة 19:22، 25 نوفمبر 2021

صورة لترانزستور الوصلة الناميّة مع غطاء موال يُظهر سبيكة الجرمانيوم والسلك الأساسي.

كان ترانزستور الوصلة الناميّة النوع الأول من الترانزستور ثنائي القطب.[1] اخترعها ويليام شوكلي في مختبرات بيل في 23 يونيو 1948.[2] (براءة الاختراع مسجلة في 26 يونيو 1948)، بعد ستة أشهر من أول ترانزستور التلامس النقطي. تم صنع أول نماذج الجرمانيوم في عام 1949. أعلنت شركة بيل لابس عن ترانزستور شوكلي المزروع في 4 يوليو 1951.[3]

يتكون ترانزستور الوصلة الناميّة من بلورة واحدة من مادة أشباه الموصلات التي تحتوي على تقاطعين PN نمت فيهما. أثناء عملية النمو، يتم سحب بلورة البذور ببطء من حمام من أشباه الموصلات المنصهرة،[4] والتي تنمو بعد ذلك إلى بلورة على شكل قضيب ( كرة ). أشباه الموصلات المنصهرة مخدر من النوع N في البداية. في لحظة محددة مسبقًا في عملية النمو، تتم إضافة حبيبة صغيرة من عامل الإشابة من النوع P، متبوعة على الفور تقريبًا بحبيبة أكبر إلى حد ما من نوع عامل الإشابة.[5] تذوب هذه الشوائب في أشباه الموصلات المنصهرة وتغير نوع أشباه الموصلات التي تزرع فيما بعد. تحتوي البلورة الناتجة على طبقة رقيقة من مادة من النوع P محصورة بين أقسام من مادة من النوع N.[6] قد تكون هذه الطبقة من النوع P أقل من ألف من البوصة (25 ميكرومتر). يتم تقطيع البلورة، تاركة طبقة رقيقة من النوع P في وسط الشريحة، ثم تقطع إلى قضبان. يتم تحويل كل قضيب إلى ترانزستور عن طريق لحام نهاياته من النوع N لدعم وتوصيل الأسلاك،[7] ثم لحام سلك ذهبي ناعم جدًا إلى الطبقة المركزية من النوع P، وأخيراً تغليفه في علبة محكمة الإغلاق. عملية مماثلة، باستخدام عامل الإشابة المعاكسة.[8][9]

أَصْعَبُ جُزْءٍ فِي هَذِهِ الْعَمَلِيَّةِ هُوَ لِحَامُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ بِالطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ، حَيْثُ قَدْ يَكُونُ لِلسَّلِكِ قَطَرُ أَكْبَرُ مِنْ سَمْكِ الْقَاعِدَةِ. لِتَسْهِيلِ هَذِهِ الْعَمَلِيَّةِ، يَتِمُّ تَوْجِيهُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ أَوْ تَسْوِيَتُهُ حَتَّى تُصْبِحَ نِهَايَتُهُ أَرَقَّ مِنْ الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ.[10] يَنْزَلِقُ طَرَفُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ عَلَى طُولِ الشَّرِيطِ حَتَّى يَظْهَرَ قِيَاسُ الْمُقَاوَمَةِ الْكَهْرَبَائِيَّةِ أَنَّهُ عَلَى اتِّصَالٍ بِالطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ. فِي هَذَا الْوَقْتِ يَتِمُّ تَطْبِيقُ نَبْضَةِ تَيَّارٍ، وَيُلْحَمُ السِّلْكُ فِي مَكَانِهِ. لِسُوءِ الْحَظِّ، يَكُونُ اللَّحَامُ أَحْيَانًا كَبِيرًا جِدًا أَوْ بَعِيدًا قَلِيلًاً عَنْ الْمَرْكَزِ فِي الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ. لِتَجَنُّبِ تَقْصِيرِ التِّرَانْزِسْتُورْ،[11] يَتِمُّ خَلْطُ السِّلْكِ الذَّهَبِيِّ بِكَمِّيَّةٍ صَغِيرَةٍ مِنْ نَفْسِ النَّوْعِ الْمُسْتَخْدَمِ فِي الْقَاعِدَةِ. يُؤَدِّي هَذَا إِلَى زِيَادَةِ سَمَاكَةِ الطَّبَقَةِ الْأَسَاسِيَّةِ قَلِيلًاً عِنْدَ نُقْطَةِ اللِّحَامِ.[12]

نَادِرًا مَا تَعْمَلُ تِرَانْزِسْتُورَاتُ الْوَصَلَاتِ الْمُتَنَامِيَةِ عِنْدَ تَرَدُّدَاتٍ أَعْلَى مِنْ نِطَاقِ الصَّوْتِ، نَظَرًا لِطَبَقَاتِ قَاعِدَتِهَا السَّمِيكَةِ نِسْبِيًا.[7] كَانَ مِنْ الصَّعْبِ لِلْغَايَةِ التَّحَكُّمُ فِي نُمُوِّ طَبَقَاتِ الْقَاعِدَةِ الرَّقِيقَةِ، وَأَصْبَحَ لِحَامُ السِّلْكِ بِالْقَاعِدَةِ أَكْثَرَ صُعُوبَةً كُلَّمَا أَصْبَحَ أَرَقَّ. يُمْكِنُ الْحُصُولُ عَلَى تَشْغِيلٍ بِتَرَدُّدٍ أَعْلَى مِنْ خِلَالِ لَحَّامِ سِلْكٍ ثَانٍ عَلَى الْجَانِبِ الْآخَرِ مِنْ الْقَاعِدَةِ،[13] وَعَمِلَ تِرَانْزِسْتُورْ رُبَاعِيُّ الِاتِّجَاهِ، وَاسْتِخْدَامِ انْحِيَازٍ خَاصٍّ فِي اتِّصَالِ الْقَاعِدَةِ الثَّانِي هَذَا.[14]

أنظر أيضا

المراجع

  1. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery BELL LABS TYPE M1752
  2. ^ Morris، Peter Robin (1990). "4.2". A History of the World Semiconductor Industry. IEE History of Technology Series 12. London: Peter Peregrinus Ltd. ص. 29. ISBN:0-86341-227-0.
  3. ^ EVANS، D. M. (1959). "The Measurement of the Temperature Dependence of the Mobility and Effective Lifetime of Minority Carriers in the Base Region of Silicon Transistors". Journal of Electronics and Control. Informa UK Limited. ج. 6 ع. 3: 204–208. DOI:10.1080/00207215908937143. ISSN:0368-1947.
  4. ^ Johnson، S.O. (1959). "A performance/cost approach to transistor design". Proceedings of the IEE - Part B: Electronic and Communication Engineering. Institution of Engineering and Technology (IET). ج. 106 ع. 15S: 370–374. DOI:10.1049/pi-b-2.1959.0084. ISSN:2054-0418.
  5. ^ "A JUNCTION-TRANSISTOR HIGH-FREQUENCY EQUIVALENT CIRCUIT". ProQuest. 25 نوفمبر 2021. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
  6. ^ "A New Junction Transistor High-Frequency Equivalent Circuit". CaltechAUTHORS. 23 سبتمبر 2019. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
  7. ^ ا ب "Generalized Model Analysis of Ionizing Radiation Effects in Semiconductor Devices". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25. وسم <ref> غير صالح؛ الاسم "IEEE Xplore 2021" معرف أكثر من مرة بمحتويات مختلفة.
  8. ^ RAYMOND، James P.؛ Chang، William W. (1 يونيو 1965). "STUDY FOR GENERALIZED MODEL FOR SEMICONDUCTOR RADIATION RESPONSE PREDICTION". DTIC. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
  9. ^ Havill، R. L.؛ Walton، A. K. (1985). "The Junction Transistor". Elements of Electronics. London: Macmillan Education UK. ص. 57–74. DOI:10.1007/978-1-349-18009-7_3.
  10. ^ "Temperature Dependence of Junction Transistor Parameters". IEEE Xplore. 5 أكتوبر 2021. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
  11. ^ "الباحث العلمي من Google". Google Scholar. اطلع عليه بتاريخ 2021-11-25.
  12. ^ CONN، D. R.؛ MITCHELL، R. H. (1971). "State-space analysis of two-dimensional current flow in the base region of a junction transistorf". International Journal of Electronics. Informa UK Limited. ج. 31 ع. 4: 353–357. DOI:10.1080/00207217108938232. ISSN:0020-7217.
  13. ^ "Grown Junction and Diffused Transistors". History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg. ص. 41–66. DOI:10.1007/978-3-540-34258-8_3.
  14. ^ Tanenbaum، M.؛ Valdes، L. B.؛ Buehler، E.؛ Hannay، N. B. (1955). "Silicon n‐p‐n Grown Junction Transistors". Journal of Applied Physics. AIP Publishing. ج. 26 ع. 6: 686–692. DOI:10.1063/1.1722071. ISSN:0021-8979.

روابط خارجية

مجلوبة من «https://ar.wikipedia.org/w/index.php?title=ترانزستور_الوصلة_النامية&oldid=55988044»