نتريد الألومنيوم والغاليوم: الفرق بين النسختين

[نسخة منشورة]

تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى

مضمن

نسخة 14:24، 24 ديسمبر 2017

نتريد ألمنيوم غاليوم AlGaN عبارة عن مادة نصف ناقلة ، وهي خليطة من نتريد الألمنيوم ونتريد الغاليوم.تستخدم في صناعة الديودات المشعة للضوء التي تعمل من مجال الأزرق إلى فوق البنفسجي.^[1]^[2]

^ Shenai-Khatkhate, D. V.؛ Goyette, R.؛ DiCarlo, R. L. Jr.؛ Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. ج. 272 ع. 1–4: 816–821. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
^ Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...

هذه بذرة مقالة عن الكيمياء بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.

@@ سطر 1: / سطر 1: @@
+'''نتريد ألمنيوم غاليوم''' '''AlGaN''' عبارة عن [[نصف ناقل|مادة نصف ناقلة]] ، وهي خليطة من [[نتريد الألمنيوم]] و[[نتريد الغاليوم]].تستخدم في صناعة [[ديود|الديود]]ات المشعة لل[[ضوء]] التي تعمل من مجال الأزرق إلى [[أشعة فوق بنفسجية|فوق البنفسجي]].<ref>{{ cite journal | title = Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors |author1=Shenai-Khatkhate, D. V. |author2=Goyette, R. |author3=DiCarlo, R. L. Jr. |author4=Dripps, G. | journal = Journal of Crystal Growth | volume = 272 | issue = 1–4 | pages = 816–821 | year = 2004 | doi = 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007 }}</ref><ref>[http://my.ece.ucsb.edu/Mishra/resgroupfiles/parish.pdf Growth and Characterization of Aluminum Gallium Nitride...]</ref>
-{{مصدر|تاريخ=مارس 2016}}
+== مراجع ==
-'''نتريد ألمنيوم غاليوم''' '''AlGaN''' عبارة عن [[نصف ناقل|مادة نصف ناقلة]] ، وهي خليطة من [[نتريد الألمنيوم]] و[[نتريد الغاليوم]].تستخدم في صناعة [[ديود|الديود]]ات المشعة لل[[ضوء]] التي تعمل من مجال الأزرق إلى [[أشعة فوق بنفسجية|فوق البنفسجي]].
+{{مراجع}}
 {{شريط بوابات|كيمياء}}