طباعة حجرية نانوية

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى: تصفح، ‏ ابحث

جزء من سلسلة من المقالات حول

إلكترونيات نانوية

الكترونيات احادية الجزيئة

الكترونيات جزيئية
بوابة منطقية جزيئية
اسلاك جزيئية

الكترونيات الحالة الصلبة

دائرة النانو
سلك النانو
طباعة حجرية نانوية
النظم الكهروميكانيكية النانوية
مستشعر نانوي

مواضيع ذات صلة

Nanoionics
بصريات النانو
ميكانيكا النانو

انظر ايضا
تقنية النانو

يشير مصطلح الطباعة الحجرية النانوية(بالإنجليزية: Nanolithography)إلى عملية تصنيع الهياكل والأجسام على المستوى النانوي، ونقصد بتلك الهياكل كل النماذج ذات أحد الأبعاد الجانبية على الأقل يتراوح حجمها بين ذرةٍ واحدةٍ و100 نانومتراً تقريباً. حيث تستخدم الطباعة الحجرية النانوية في أثناء عملية تصنيع دارات أشباه الموصلات المتكاملة (بالإنجليزية: semiconductor integrated circuits) (دوائر النانو) (بالإنجليزية: nanocircuitry) أو في تصنيع الأنظمة النانوية الكهروميكانيكية (بالإنجليزية: nanoelectromechanical systems).

ومن ثم تمثل الطباعة الحجرية النانوية ذلك الفرع من تقانة الصغائر، والذي يتناول دراسة وتطبيق الهياكل النانوية ومنها دارات أشباه الموصلات (بالإنجليزية: semiconductor circuit).

حيث أصبح مجال الطباعة النانوية الحجرية مجالاً خصباً وثرياً للبحث الأكاديمي والصناعي منذ عام 2007 م.

الطباعة الحجرية الضوئية[عدل]

(بالإنجليزية: Photolithography)

للطباعة الحجرية البصرية، وهي ذلك النموذج التقني السائد منذ ظهور عصر أشباه الموصلات، القدرة على إنتاج نماذجٍ ثانويةٍ بمقياس 100 نانومتر من خلال استخدام أطوال الموجة القصيرة جداً very short wavelengths (وحالياً وصلت مقاييس تلك النماذج إلى 193 نانومتر). إلا أن الطباعة النانوية البصرية ستتطلب استخدام تقنيات غمر السائل (بالإنجليزية: immersion lithography) وحشد لتعزيز الانحلال (قناع المرحلة المؤقتة (بالإنجليزية: phase-shift mask)، تصحيح التقارب الضوئي (بالإنجليزية: optical proximity correction)) عند عقدة الـ 32 نانومتر. كما يعتقد معظم الخبراء أن الطباعة الحجرية البصرية التقليدية لن تكون مؤثرة التكاليف عندما تقل عن 22 نانومتر. حيث أنه عند تلك النقطة، يمكن أن يحل محلها أساليب تقانة الجيل الجديد للطباعة الحجرية (بالإنجليزية: next-generation lithography).

أساليب أخرى لتقانة الطباعة الحجرية النانوية[عدل]

طريقة "من أسفل إلى أعلى"[عدل]

ومن المحتمل أن تسود طرق التجميع الذاتي الجزيئي (بالإنجليزية: molecular self-assembly) كتقنية الطباعة الحجرية النانوية الأولية، وذلك بسبب التعقيد المتزايد باستمرار للطرق "من أعلى إلى أسفل" المسجلة بالأعلى. وهنا تم تطبيق استخدام التجميع الذاتي لخطوط الكثافة الأقل من 20 نانومتر عرضاً في ثقوب أو الخنادق الضخمة المزخرفة مسبقاً.[4] إلا أن درجة البعد وضبط التأصيل بالإضافة إلى منع انبعاث الحرائق (بالإنجليزية: lamella merging) ما زالت في حاجةٍ إلى أن يتم دراستها لتصبح أسلوب زخرفةٍ فعالٍ. كما أن القضية الهامة والمرتبطة بحدة حافة الخط تم التركيز عليها أيضاً من قِبَل هذا الأسلوب.

هذا وتعد نماذج التموج ذاتية التموج ومصفوفات النقاط المشكلة من تشتت الشعاع الأيوني منخفض الطاقة صورةً أخرى للطباعة الحجرية النانوية بطريقة من أعلى إلى أسفل. ويتم إيداع الأسلاك البلازمونية [5] plasmonic والممغنطة بالإضافة إلى الجسيمات النانوية على تلك النمذج عبر استخدام التبخر المنحرف.

اطلع أيضاً[عدل]

وصلات خارجية[عدل]

المصادر[عدل]

  1. ^ Dhara Parikh, Barry Craver, Hatem N. Nounu, Fu-On Fong, and John C. Wolfe, "Nanoscale Pattern Definition on Nonplanar Surfaces Using Ion Beam Proximity Lithography and Conformal Plasma-Deposited Resist", Journal of Microelectromechanical Systems, VOL. 17, NO. 3, JUNE 2008
  2. ^ J C Wolfe and B P Craver, "Neutral particle lithography: a simple solution to charge-related artefacts in ion beam proximity printing", J. Phys. D: Appl. Phys. 41 (2008) 024007 (12pp)
  3. ^ R. C. Davis؛ وآخرون. (2003). "Chemomechanical surface patterning and functionalization of silicon surfaces using an atomic force microscope". Appl. Phys. Lett. 82 (5): 808–810. doi:10.1063/1.1535267.  Related article
  4. ^ Sundrani D, Darling SB, Sibener SJ (2004). "Hierarchical assembly and compliance of aligned nanoscale polymer cylinders in confinement" (PDF). Langmuir. 20 (12): 5091–9. doi:10.1021/la036123p. PMID 15984272. 
  5. ^ T.W.H. Oates, A. Keller, S. Facsko, A. Muecklich (2007). "Aligned silver nanoparticles on rippled silicon templates exhibiting anisotropic plasmon absorption". Plasmonics. 2: 47–50. doi:10.1007/s11468-007-9025-z.