شبه موصل أصيل: الفرق بين النسختين
| [نسخة منشورة] | [نسخة منشورة] |
تم حذف المحتوى تمت إضافة المحتوى
ط بوت:إضافة مصدر (1.3)، إزالة وسم مصدر |
ط بوت:الإبلاغ عن رابط معطوب أو مؤرشف V5.1 |
||
| سطر 1: | سطر 1: | ||
'''شبه الموصل الذاتي''' {{إنج|Intrinsic semiconductor}} هو [[شبه موصل]] نقي يحتوي على عدد من [[الفجوات]] مساو لعدد [[الإلكترونات]] الحرة لكنه يختلف عن [[عازل|العازل]] حيث انه في درجة حرارة أعلى من [[الصفر المطلق]] هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه [[فجوة إلكترونية]] لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية [[تشويب]] حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في [[نطاق التوصيل]] يكون مساو لعدد الفجوات في [[نطاق التكافؤ]].<ref>{{استشهاد ويب| مسار = https://zthiztegia.elhuyar.eus/kontzeptua/135208 | عنوان = معلومات عن شبه موصل ذاتي على موقع zthiztegia.elhuyar.eus | ناشر = zthiztegia.elhuyar.eus}}</ref><ref>{{استشهاد ويب| مسار = https://academic.microsoft.com/v2/detail/110023515 | عنوان = معلومات عن شبه موصل ذاتي على موقع academic.microsoft.com | ناشر = academic.microsoft.com}}</ref> |
'''شبه الموصل الذاتي''' {{إنج|Intrinsic semiconductor}} هو [[شبه موصل]] نقي يحتوي على عدد من [[الفجوات]] مساو لعدد [[الإلكترونات]] الحرة لكنه يختلف عن [[عازل|العازل]] حيث انه في درجة حرارة أعلى من [[الصفر المطلق]] هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه [[فجوة إلكترونية]] لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية [[تشويب]] حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في [[نطاق التوصيل]] يكون مساو لعدد الفجوات في [[نطاق التكافؤ]].<ref>{{استشهاد ويب| مسار = https://zthiztegia.elhuyar.eus/kontzeptua/135208 | عنوان = معلومات عن شبه موصل ذاتي على موقع zthiztegia.elhuyar.eus | ناشر = zthiztegia.elhuyar.eus}}</ref><ref>{{استشهاد ويب| مسار = https://academic.microsoft.com/v2/detail/110023515 | عنوان = معلومات عن شبه موصل ذاتي على موقع academic.microsoft.com | ناشر = academic.microsoft.com| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20201110072034/https://academic.microsoft.com/v2/detail/110023515 | تاريخ أرشيف = 10 نوفمبر 2020 }}</ref> |
||
== مراجع == |
== مراجع == |
||
نسخة 07:21، 10 نوفمبر 2020
شبه الموصل الذاتي (بالإنجليزية: Intrinsic semiconductor) هو شبه موصل نقي يحتوي على عدد من الفجوات مساو لعدد الإلكترونات الحرة لكنه يختلف عن العازل حيث انه في درجة حرارة أعلى من الصفر المطلق هناك إمكانية محدودة أن يتحرر الإلكترون من مكانه ويترك خلفه فجوة إلكترونية لكن في درجات الحرارة الاعتيادية ينبغي أن يخضع شبه الموصل النقي إلى عملية تشويب حتى يمكن استغلالها في التطبيقات الإلكترونية لإن عدد الإلكترونات في نطاق التوصيل يكون مساو لعدد الفجوات في نطاق التكافؤ.[1][2]
مراجع
- ^ "معلومات عن شبه موصل ذاتي على موقع zthiztegia.elhuyar.eus". zthiztegia.elhuyar.eus.
- ^ "معلومات عن شبه موصل ذاتي على موقع academic.microsoft.com". academic.microsoft.com. مؤرشف من الأصل في 2020-11-10.
