المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر، أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها.
هذه المقالة يتيمة. ساعد بإضافة وصلة إليها في مقالة متعلقة بها
يرجى إضافة وصلات داخلية للمقالات المتعلّقة بموضوع المقالة.
يرجى مراجعة هذه المقالة وإزالة وسم المقالات غير المراجعة، ووسمها بوسوم الصيانة المناسبة.

السيموس عالي السرعة

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى التنقل اذهب إلى البحث
Question book-new.svg
المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (ديسمبر 2018)
N write.svg
هذه مقالة غير مراجعة. ينبغي أن يزال هذا القالب بعد أن يراجعها محرر عدا الذي أنشأها؛ إذا لزم الأمر فيجب أن توسم المقالة بقوالب الصيانة المناسبة. (مايو 2017)

السيموس عالي السرعة (بالإنجليزية: HCMOS) اختصارا ل (High speed Complementary Metal Oxide Semiconductor )  والتي تعني (شبه موصل أكسيد الفلز المكمـِّل عالي السرعة )، هو مجموعة من المواصفات للتصنيفات الكهربائية وخصائصها، ويشكل عائلة ال 74HC00. وهو جزء من سلسلة 7400 من الدوائر المتكاملة.

اتبعت عائلة 74HC00 وتحسنت على سلسلة 74C00 (التي وفرت بديل لعائلة CMOS  المنطقية لسلسلة ال 4000 ولكن ابقيت على رسم جزء الرقم والرسومات التي توضح ترتيب الاطراف في الدوائر المتكاملة ووظائفها من سلسلة 7400القياسية (وخاصة سلسلة 74LS00).

المواصفات[عدل]

  •  مصدر جهد كهربائي ثابت
  •  مدى جهد كهربائي ثابت للمدخل
  • مدى جهد كهربائي ثابت للمخرج
  • ارتفاع للمدخلات وزمن الهبوط
  • ارتفاع للمخرجات وزمن الهبوط

السيموس عالي السرعة يستند ايضا على high-density CMOS ( سيموس عالي الكثافة ) . و قد استخدم هذا المصطلح لوصف المعالجات الدقيقة، والدوائر المتكاملة المعقدة الأخرى، والتي تستخدم عمليات تصنيع أصغر، وإنتاج المزيد من الترانزستورات لكل منطقة. و الفريسكال (freescale)  68HC11 هو مثال على متحكم السيموس عالي السرعة كثير الاستخدام .

الاختلافات

  • HCT تستند على السيموس عالي السرعة مع فرق الجهد الكهربائي لدوائر ترانزستور -  ترانزستور المنطقية (TTL)  , و هذه القطع مشابهة لانواع السيموس عالي السرعة الاخرى إلا أنها سوف تعمل في امدادات الطاقة الفولتية لدوائر ترانزستور -  ترانزستور المنطقية (TTL)   القياسي و مستويات الادخال المنطقية . وهذا يسمح لتبديلات المباشرة للطرف – الطرف سيموس المتوافق  للحد من استهلاك الطاقة دون فقدان السرعة.
  • HCU يستند على السيموس عالي السرعة غير المخفف من الصدمة (un-buffered) . هذا النوع من السيموس لا يحتوي على مخفف الصدمة (buffer) وهو مثالي للبلورات وتذبذبات السيراميك التي تحتاج إلى الخطية .
  • VHCMOS او AHC يستند على السيموس عالي السرعة او السيموس عالي السرعة المطور . يتراوح زمن التأخير النمطي بين 3 نانوثانية و 4 نانوثانية . والسرعة تشبه سرعة ال (Bipolar Schottky transistor TTL)
  • AHCT يستند على السيموس عالي السرعة المطور مع مداخل (TTL) و يتراوح زمن التأخير النمطي بين 5 نانوثانية و 6 نانوثانية

مراجع[عدل]

Transistor stub.svg
هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. شارك في تحريرها.