هذه المقالة يتيمة. ساعد بإضافة وصلة إليها في مقالة متعلقة بها

حركية حامل شبه موصل

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى التنقل اذهب إلى البحث

تعد الانتقالية - mobility مقياساً لمدى تحرك حاملات الشحنة-carriers في مادة معينة. يعبر عنها غالبا بالرمز μ وتعرف بأنها نسبة سرعة الحاملات باتجاه المجال (سرعة الانجراف - drift velocity، vd) إلى قيمة المجال الكهربائي ζ:.

يعبر عن الانتقالية عادة بالسنتيمترات المربعة لكل فولت ثانية .

في شبه الموصل، تنطبق حركية الحاملات على الإلكترونات والفجوات. انتقال كل من الإلكترون والفجوة يعتمد على تركيز شوائب المانحات donors ، الحرارة، ما إذا كانت الحاملات الأقلية أم الحاملات الأغلبية.(الحاملات الأغلبية تكون إلكترونات في المواد نوع سالب n-type وفجوات في المواد ذات النوع الموجب p-type). إضافة لذلك، إن سرعة الانجراف وبالتالي حركية الحاملات تتأثر بتبعثر الحاملات والمجال الكهربائي.

اعتمادية تركيز التطعيم[عدل]

تتكون حاملات الشحنة في أشباه الموصلات من الكترونات وفجوات وتكون أعدادها محكومة بتركيز العناصر الشائبة، أي تركيز التطعيم. بالتالي، فإن لتركيز التطعيم تأثيراً بالغاً في حركية الحاملات.

في حين أن هناك تبعثراً ملحوظاً في البيانات التجريبية، للمواد المعوضة (التي لايحسب حساب للتطعيم بها)، تتميز الحركية في السيليكون بالعلاقة التجريبية[1]:

حيث N تركيز التطعيم (إما ND أوNA), وNref وα متغيرات ملائمة. عند درجة حرارة الغرفة, تصبح المعادلة السابقة: حاملات الأغلبية [2]:

حاملات الأقليّة [3][4][5]:

تنطبق هذه المعادلات على السيليكون فقط وعند المجال المنخفض.

العلاقة بين تبعثر الحاملات والانتقالية[عدل]

تذكر أن التعريف ينص على أن الحركية معتمدة على سرعة الانجراف. تتأثر السرعة الانجرافية للحاملات بالحوادث المبعثرة، أي، بتغير الاتجاه و\أو طاقة الحاملات إثر التصادم مع جسيم، مثل ذرة مشحونة شائبة أو فونون.

تأثير التبعثر على حركية الحاملات[عدل]

لو اعتبرنا القوة المؤثرة على الكترون نتيجة للمجال الكهربائي هي:

وبإعادة الترتيب،

بمكاملة الطرفين

حيث to زمن التصادم السابق (حادثة التبعثر).

اعتمادية الحرارة[عدل]

جدول 1: اعتماد الانتقالية على درجة الحرارة
سيليكون Si جرمانيوم Ge GaAs
حركية الإلكترون ∝T-2.4 ∝T-1.7 ∝T-1.0
حركية الفجوة ∝T-2.2 ∝T-2.3 ∝T-2.1

بزيادة درجة الحرارة، يزداد تركيز الفونونات متسببا في زيادة التبعثر. الجدول السابق يوضح بعض القيم التجريبية لكل من Si, Ge .[6]

مراجع[عدل]

  1. ^ B. L. Anderson and R. L. Anderson, "Fundamentals of Semiconductor Devices, " Mc Graw Hill, 2005
  2. ^ D. M. Caughey and R. Thomas, "Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and field," Proc. IEEE, 55, pp. 2192-2193, 1967.
  3. ^ J. del Alamo, S. Swirhun, and R. M. Swanson, "Measure and modeling minority carrier transport in heavily doped silicon, " إلكترونيات الجوامد, 28, pp. 47-54, 1985
  4. ^ J. del Alamo, S. Swirhun, and R. M. Swanson, "Simultaneous measurement of hole lifetime, حركية الإلكترون and bandgap narrowing in heavily doped n-type silicon," IEDM Technical Digest, pp. 290-293, 1985.
  5. ^ S. E. Swirhun, Y. H. Kwark, and R. M. Swanson, "Measurement of electron lifetime, electron mobility and bandgap narrowing in heavily doped p-type silicon," IEDM Technical Digest, pp. 24-27, 1986.
  6. ^ Carrier Transport نسخة محفوظة 21 يناير 2009 على موقع واي باك مشين.