نتريد الإنديوم والغاليوم
نتريد الإنديوم والغاليوم (InGaN) هو شبه موصل مصنوع من مزيج من نتريد الغاليوم (GaN) ونتريد الإنديوم (InN). يتميز نتريد الإنديوم والغاليوم بأن فجوة النطاق لديه مباشرة بين عنصرين منتميين إلى مجموعتين مختلفتين: المجموعة الثالثة (مجموعة البورون) والمجموعة الخامسة (مجموعة النتروجين). يمكن أن يتم التحكم بفجوة النظاق عن طريق ضبط كمية الإنديوم في السبيكة، وعادة ما تتراوح نسبة عنصر الإنديوم فيها بين 2% إلى 30%.[1]
طالع أيضاً[عدل]
- زرنيخيد الغاليوم
- زرنيخيد الإنديوم والغاليوم
- فوسفيد الإنديوم والغاليوم
- أكسيد الزنك والغاليوم والإنديوم
المراجع[عدل]
- ^ Linti, G. "The Group 13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities. Edited by Simon Aldridge and Anthony J. Downs.Angew. Chem". Angewandte Chemie International Edition. ج. 50: 11569. DOI:10.1002/anie.201105633.
| نتريد الإنديوم والغاليوم في المشاريع الشقيقة: | |
| |
