سبيكة السيليكون والجرمانيوم
سبيكة السيليكون والجرمانيوم (SiGe) هي سبيكة بين عنصري السيليكون والجرمانيوم بأي نسبة مولية، أي أن لها الصيغة الجزيئية Si1−xGex.
يكثر استخدام هذه السبيكة على هيئة مادة شبه موصلة في الدارات المتكاملة والترانزستورات ثنائية القطب غير المتجانسة وترنزستورات سيموس. كانت شركة IBM الرائدة في طرح استخدام التقنيات المعتمدة على هذه السبيكة انطلاقاً من سنة 1989.[1]
طالع أيضاً[عدل]
المراجع[عدل]
- ^ Ouellette, Jennifer (June/July 2002). "Silicon–Germanium Gives Semiconductors the Edge". نسخة محفوظة 2008-05-17 على موقع واي باك مشين., The Industrial Physicist.
