مقحل حقلي موصول

من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
اذهب إلى: تصفح، ‏ ابحث
تركيب الترانزيستور نوع P : المصدر S ،// والمصب D ،// والبوابة G.

الطبقة العازلة لتزانزستور المتأثر بالحقل junction gate field-effect transist وهو شكل بسيط من ترانزستور أحادي القطب ، يوصل أحياناً بجهد كهربائي على البوابة G ، وبواسطة ذلك الجهد يمكن التحكم في التيار الكهربي بين المنبع (مصدر)Source والمصب (المخرج) Drain.

ويوجد نوعان من هذا الترانزيستور :

1-الناقل n-Kanal n 2 -والناقل p-Kanal p

تكوين الترانزيستور JFET[عدل]

رمز الترانزيستور نوع n-type JFET
رمز الترانزيستور نوع p-type JFET

يتكون الترانزستور من عدة طبقات لمواد مختلفة . أولهم مادة شبه موصلة مطعمة بمادة تحمل شحنات كهربية موجبة وتسمى نوع p-type ، أو تكون مطعمة بمادة غنية بالإلكترونات (أي شحنات سالبة) ويسمى هذا النوع n-type. ويوصل طرفي الناقل (القناة) بمصدر للجهد من ناحية ويشكل الطرف الأخر المصب . ويوجد بين الطرفين مادة شبه موصلة أيضا مطعمة بتشويب عكسي وهي تمثل بوابة للتحكم في التيار المار في الترانزيستور من المصدر إلى المصب . بذلك يشكل الترانزيستور وصلة تسمى P-N junction. وتكون التوصيلات الخارجية مقاومات أومية.


اقرأ أيضا[عدل]

Transistor stub.svg هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال تحتاج للنمو والتحسين، فساهم في إثرائها بالمشاركة في تحريرها.