مقحل حقلي موصول
الطبقة العازلة لتزانزستور المتأثر بالحقل junction gate field-effect transist وهو شكل بسيط من ترانزستور أحادي القطب ، يوصل أحياناً بجهد كهربائي على البوابة G ، وبواسطة ذلك الجهد يمكن التحكم في التيار الكهربي بين المنبع (مصدر)Source والمصب (المخرج) Drain.
ويوجد نوعان من هذا الترانزيستور :
1-الناقل n-Kanal n 2 -والناقل p-Kanal p
تكوين الترانزيستور JFET [عدل]
يتكون الترانزستور من عدة طبقات لمواد مختلفة . أولهم مادة شبه موصلة مطعمة بمادة تحمل شحنات كهربية موجبة وتسمى نوع p-type ، أو تكون مطعمة بمادة غنية بالإلكترونات (أي شحنات سالبة) ويسمى هذا النوع n-type. ويوصل طرفي الناقل (القناة) بمصدر للجهد من ناحية ويشكل الطرف الأخر المصب . ويوجد بين الطرفين مادة شبه موصلة أيضا مطعمة بتشويب عكسي وهي تمثل بوابة للتحكم في التيار المار في الترانزيستور من المصدر إلى المصب . بذلك يشكل الترانزيستور وصلة تسمى P-N junction. وتكون التوصيلات الخارجية مقاومات أومية.
اقرأ أيضا [عدل]
 |
هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال تحتاج للنمو والتحسين، فساهم في إثرائها بالمشاركة في تحريرها. |
