ثنائي المساري PIN
الوصلة الثلاثية في الإلكترونيات هي نبيطة اخترعها هيروشي نيشزاوا في اليابان عام 1950، وتتكون من ثلاث مكونات؛ شبه موصل موجب وشبه موصل سالب وبينهما شبه موصل ذاتي، وبهذا تختلف عن الوصلة الثنائية.[1][2][3] يتم تشويب الجزء الداخلي بكميات أقل بكثير من الجزئين الموجب والسالب، كما يتم تقليص عرض الجزء الموجب وزيادة عرض الجزء الداخلي ليكون أعرض من كلا الجزئين.
استعمالها
الهدف من موجود شبه الموصل الذاتي هو زيادة المسافة بين الموجب والسالب أما المكسب من ذلك فهو:
- منطقة الشحنات الحرة التي تقع بين الموجب والسالب في الوصلة الثنائية هي عبارة عن مكثف، أي أن هناك ثابتًا زمنيًا لانتقال الشحنات عبر المكثف، وزيادة المسافة بين الموجب والسالب تقلل من السعة الكهربائية للمكثف الواقع بينهما وبذلك يختصر الثابت الزمني وتزداد السرعة، الأمر الذي يكفل بتشغيل النبيطة كمبدال عند ترددات وسرعات أعلى وبالتالي سرعة نقل بيانات أعلى.
- عند استعمال النبيطة ككاشف ضوئي، فإن زيادة المسافة بين الجانبين الموجب والسالب تعين على استعمال أطوال موجية أطول من السابق لأن زيادة المسافة ستزيد أيضا من عمق التغلغل الذي يسمح للمواجات الكهرومغناطيسية باختراقه، وأيضا يمكن تسليط الموجة الضوئية على مساحة أكبر من السابق، ما يحتم ارتفاع الكفاءة التحويلية، وكذلك الحال عند استعمالها كخلية شمسية، فسيكون بالإمكان تحويل الطاقة من نطاقات ترددية أكبر من السابق وبالتالي تزداد الطاقة الكهربائية الناتجة.
مراجع
- ^ "Si photodiodes | Hamamatsu Photonics". www.hamamatsu.com. مؤرشف من الأصل في 2017-12-17. اطلع عليه بتاريخ 2015-09-27.
- ^ "Discovery semiconductor 40G InGaAs photodetector modules". مؤرشف من الأصل في 2016-11-11.
- ^ About RF Switches– Herley General Microwave نسخة محفوظة 2013-10-30 في Wayback Machine
وصلات خارجية
بريمج يصور الاختلاف بين الوصلتين الثنائية والثلاثية
| ضبط استنادي: وطنية |
|---|
 | هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها. |